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肖特基二极管常见型号篇(1):肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成 SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD）的简称。肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称 SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD 来命名产品型号前缀的。但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半导体接触形成 PN 结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD 也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。关于肖特基 MBR 系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早 MOTOROLA 的命名，取 MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写 MB：Barrier1 缩写 BR：Rectifier 缩写 R10：电流 10A200：电压 200VC：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。T：表示管装MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：MBRD10100CT：第四位的 D，表示贴片 DPAK 封装MBRB10100CT：第四位的 B，表示贴片 D2PAK 封装MBRF10100CT：第四位的 F，表示 TO-220 全塑封TO-252，也就是贴片 DPAK 封装；TO-263，也就是贴片 D2PAK 封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT，型号中就 20100 是阿拉伯数字，20100 中，20 是电流，100 是电压。以此类推。MBR、SR、SL、SB、STB、STP 都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。备注：美国摩托罗拉半导体公司，是世界上最早的半导体生产商。早期的半导体元件很多都是以该公司的产品命名而得到全球公认、通用。摩托罗拉公司后来将半导体器件分离出来，分为：成品电器（比如手机、通信终端设备、小家电等）；电子元件部分是今天的 ON（安森美半导体），生产功率器件；Freescale（飞思卡尔半导体）生产 IC 集成电路；1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。2、肖特基二极管的结构 肖特基二极管在结构原理上与 PN 结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N 外延层（砷材料）、N 型硅基片、N 阴极层及阴极金属等构成。在 N 型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N 型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有：共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有 A～19 种管脚引出方式。3、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型号。也就是常说的插件封装。常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为“SS”？SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：Surface Mounted Devices 的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为 SS，如：SS12、SS14、SS16、SS18....也就是常说贴片封装。电流最小的肖特基是 BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是 440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过 440A 的必定是模块。肖特基的最高电压是 200V，也就是说，肖特基的极限电压是 200V。超过 200V 电压的也必定是模块。电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。10A、20A、30A 规格的有做到 200V 电压。除此外，都没有 200V 电压规格。关于封装通过型号识别封装外形：MBR10100：TO-220AC，单芯片，两引脚，MBR10100CT：TO-220AB，双芯片，三引脚，型号后缀带 CTMBRB10100CT：TO-263（D2PAK）、贴片。型号前面第四个字母 B，代表 TO-263，国际通用命名。双芯片，三引脚，型号后缀带 CTMBRD1045CT：TO-252（DPAK）、贴片。MBRD 与 MBRB 都是贴片，D：TO-252，B：TO-263。MBR3045PT：TO-3P，型号后缀“PT”代表 TO-3P 封装，原 MOTOROLA（今 ON）叫做 SOT-93SD1045：D 表示 TO-251常见贴片封装的肖特基型号：BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S：SOT-23，0.3AMBR0520L、MBR0540：SOD-123，0.5ASS12、SS14：DO-214AC（SMA），1ASL12、SL14：DO-214AC（SMA），1ASK22：SK24：DO-214AA（SMB），2ASK32：SK34：DO-214AB（SMC），3AMBRD320、MBRD360：TO-252，3AMBRD620CT、MBRD660CT：TO-252，6AMBRB10100CT：TO-263（D2PAK），10AMBRB4045CT：TO-263（D2PAK），40A常见插件封装的肖特基型号：MBR150、MBR160：DO-41，轴向，1A1N5817（1A/20V）、1N5819（1A/40V），轴向，DO-41；1N5820（3A/20V）、1N5822（3A/40V），轴向，DO-201ADMBR340、MBR3100：（3A/40V），DO-201AD 轴向，MBR735、MBR745：TO-220AC（两脚），7AMBRB735、MBRB745：贴片、TO-263（D2PAK），7AMBR1045、MBR1060：TO-220AC（两脚），10AMBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10AMBRF1045CT、MBRF10100CT：TO-220F，（三脚全塑封），10A（第 4 位字母 F 为全塑封）MBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15AMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20AMBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25AMBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30AMBR3045PT、MBR3060PT：TO-247（TO-3P），30AMBR4045PT、MBR4060PT：TO-247（TO-3P），40AMBR6045PT、MBR6060PT：TO-247（TO-3P），60A器件型号 主要参数 常规封装形式MBR1045CT， 10A， 45V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR1060CT， 10A， 60V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR10100CT，10A，100V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR10150CT，10A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR10200CT，10A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR2045CT， 20A， 45V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR2060CT， 20A， 60V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR20100CT，20A，100V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR20150CT，20A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR20200CT，20A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR3045CT， 30A， 45V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR3060CT， 30A， 60V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR30100CT，30A，100V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；MBR30150PT，30A，150V，TO-247、TO-3P；MBR30200PT，30A，200V，TO-247、TO-3P；MBR4045PT， 40A， 45V，TO-247、TO-3P；MBR4060PT， 40A， 60V，TO-247、TO-3P；MBR40100PT，40A，100V，TO-247、TO-3P；MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；MBR60100PT，60A，100V，TO-247、TO-3P；
肖特基二极管常见型号篇(2):常用二极管型号参数表
常用二极管资料大全
1.塑封整流二极管
序号
型号
IF
VRRM
VF
Trr
外形
A
V
V
μs
1
1A1-1A7
1A
50-1000V
1.1
R-1
2
1N4001-1N4007
1A
50-1000V
1.1
DO-41
3
1N5391-1N5399
1.5A
50-1000V
1.1
DO-15
4
2A01-2A07
2A
50-1000V
1.0
DO-15
5
1N5400-1N5408
3A
50-1000V
0.95
DO-201AD
6
6A05-6A10
6A
50-1000V
0.95
R-6
7
TS750-TS758
6A
50-800V
1.25
R-6
8
RL10-RL60
1A-6A
50-1000V
1.0
9
2CZ81-2CZ87
0.05A-3A
50-1000V
1.0
DO-41
10
2CP21-2CP29
0.3A
100-1000V
1.0
DO-41
11
2DZ14-2DZ15
0.5A-1A
200-1000V
1.0
DO-41
12
2DP3-2DP5
0.3A-1A
200-1000V
1.0
DO-41
13
BYW27
1A
200-1300V
1.0
DO-41
14
DR202-DR210
2A
200-1000V
1.0
DO-15
15
BY251-BY254
3A
200-800V
1.1
DO-201AD
16
BY550-200～1000
5A
200-1000V
1.1
R-5
17
PX10A02-PX10A13
10A
200-1300V
1.1
PX
18
PX12A02-PX12A13
12A
200-1300V
1.1
PX
19
PX15A02-PX15A13
15A
200-1300V
1.1
PX
20
ERA15-02～13
1A
200-1300V
1.0
R-1
21
ERB12-02～13
1A
200-1300V
1.0
DO-15
22
ERC05-02～13
1.2A
200-1300V
1.0
DO-15
23
ERC04-02～13
1.5A
200-1300V
1.0
DO-15
24
ERD03-02～13
3A
200-1300V
1.0
DO-201AD
25
EM1-EM2
1A-1.2A
200-1000V
0.97
DO-15
26
RM1Z-RM1C
1A
200-1000V
0.95
DO-15
27
RM2Z-RM2C
1.2A
200-1000V
0.95
DO-15
28
RM11Z-RM11C
1.5A
200-1000V
0.95
DO-15
29
RM3Z-RM3C
2.5A
200-1000V
0.97
DO-201AD
30
RM4Z-RM4C
3A
200-1000V
0.97
DO-201AD
2.快恢复塑封整流二极管
序号
型号
IF
VRRM
VF
Trr
外形
A
V
V
μs （1）快恢复塑封整流二极管
1
1F1-1F7
1A
50-1000V
1.3
0.15-0.5
R-1
2
FR10-FR60
1A-6A
50-1000V
1.3
0.15-0.5 3
1N4933-1N4937
1A
50-600V
1.2
0.2
DO-41
4
1N4942-1N4948
1A
200-1000V
1.3
0.15-0.5
DO-41
5
BA157-BA159
1A
400-1000V
1.3
0.15-0.25
DO-41
6
MR850-MR858
3A
100-800V
1.3
0.2
DO-201AD
7
EU1-EU2
0.25A-1A
100-1000V
1.3
0.4
DO-41
8
20DF1-20DF10
2A
100-1000V
1.3
0.2
DO-15
9
30DF1-30DF10
3A
100-1000V
1.3
0.2
DO-201AD
10
RU1-RU4
0.25A-3A
100-1000V
1.3
0.4 11
ERA22-02～10
0.5A
200-1000V
1.3
0.4
R-1
12
ERA18-02～10
0.8A
200-1000V
1.3
0.4
R-1
13
ERB43-02～10
0.5A
200-1000V
1.3
0.4
DO-41
14
ERB44-02～10
1A
200-1000V
1.3
0.4
DO-15
15
ERC18-02～10
1.2A
200-1000V
1.3
0.4
DO-15
16
ERD28-02～10
1.5A
200-1000V
1.3
0.4
DO-201AD
17
ERD29-02～10
2.5A
200-1000V
1.3
0.4
DO-201AD
18
ERD32-02～10
3A
200-1000V
1.3
0.4
DO-201AD
19
ERD09-13～15
3A
1300-1500V
1.5
0.6
R-5 （2）SK、2CG系列快恢复整流二极管
1
SK1-02～30
1.5A
200-3000V
1.3-4
0.5-1
DO-15
2
SK2-02～30
1A
200-3000V
1.3-4
0.5-1
DO-41
3
SK3-02～30
2A
200-3000V
1.3-4
0.5-1
DO-15
4
SK4-02～30
0.5A
300-3000V
1.3-4
0.5-1
DO-41
5
2CG04-2CG30
0.2A
300-3000V
1.3-4
0.5-1
DO-41 （3）快恢复塑封阻尼二极管
1
2CN1-2CN1C
1A
200-1200V
1.3
2
DO-41
2
2CN2D-2CN2M
0.5A
200-1000V
1.3
2
DO-41
3
2CN3D-2CN3M
1A
200-1000V
1.3
6
DO-41
4
2CN4D-2CN4M
1.5A
200-1000V
1.3
0.8
DO-15
5
2CN5D-2CN5M
1.5A
200-1000V
1.0
1
DO-15
6
2CN6D-2CN6M
1A
200-1000V
1.3
6
DO-41
7
2CN12D-2CN12M
3A
200-1000V
1.3
1
DO-201AD
8
RH1Z-RH1C
0.6A
200-1000V
1.3
4
DO-41
9
TVR4J-TVR4N
1.2A
600-1000V
1.2
20
DO-15
3.超高频塑封二极管
1
ERA34-10
0.1A
1000V
3
0.15
R-1
2
ERA32-02～10
1A
200-1000V
1.3
0.1
DO-41
3
ERB32-02～10
1.2A
200-1000V
1.3
0.1
DO-15
4
ERC30-02～10
1.5A
200-1000V
1.3
0.1
DO-15
5
ERC32-02～10
3A
200-1000V
1.3
0.1
DO-201AD
6
EG01E-EG01C
0.5A
200-1000V
2
0.1
DO-41
7
EG1E-EG1C
1A
200-1000V
1.8
0.1
DO-41
8
RG10Z-RG10C
1.2A
200-1000V
2
0.1
DO-15
9
RG2Z-RG2C
1.5A
200-1000V
1.8
0.1
DO-15
10
RG4Z-RG4C
3A
200-1000V
2
0.1
D0-201AD
4.超快恢复塑封二极管
序号
型号
IF
VRRM
VF
Trr
外形
A
V
V
ns （1）超快恢复塑封二极管
1
SF10-SF50
1-5A
50-1000V
0.95-1.7
35 2
SF80-SF160
8-16A
50-600V
0.95-1.4
35
TO-220
3
EGP10-EGP50
1-5A
50-200V
1.1
35 4
ERC38～04-ERC38～10
1A
400-1000V
1.7
50
DO-41
5
RL2-RL2C
2A
400-1000V
1.7
50
DO-15
6
RL3-RL3C
3A
400-1000V
1.7
50
DO-201AD
7
1H1-1H8
1A
50-1000V
1.1-1.7
50-75
R-1
8
HER10-HER60
1-6A
50-1000V
1.1-1.7
50-75 9
HER80-HER160
8-6A
50-1000V
1.1-1.7
50-75
TO-220
10
UF10-UF60
1-6A
50-1000V
1.1-1.7
50-75 11
EL1Z-EL1
1.5A
200-350V
1.3
50
DO-15 （2）MUR超快恢复整流二极管
1
MUR120-MUR1120
1A
200-1200V
0.95-1.5
35-50
DO-41
2
MUR420-MUR4120
4A
200-1200V
0.95-1.6
35-75
DO-201AD
3
MUR820-MUR8120
8A
200-1200V
1.3-2.1
35-75
TO-220AC
4
MUR1020-MUR10120
10A
200-1200V
1.3-2.1
35-75
TO-220AC
5
MUR1520-MUR15120
15A
200-1200V
1.3-2.1
35-75
TO-220AC
6
MUR2020-MUR20120
20A
200-1200V
1.3-2.1
35-75
TO-220AB
7
MUR3020-MUR30120
30A
200-1200V
1.3-2.1
35-75
TO-247AD
8
MUR6020-MUR60120
60A
200-1200V
1.3-2.1
35-75
TO-247AD （3）RHRP、RHRG超快恢复二极管
1
RHRP820-RHRP8120
8A
200-1200V
2.1-3.2
35-70
TO-220AC
2
RHRP1520-RHRP15120
15A
200-1200V
2.1-3.2
40-75
TO-220AC
3
RHRP3020-RHRP30120
30A
200-1200V
2.1-3.2
45-75
TO-220AC
4
RHRG3020-RHRG30120
30A
200-1200V
2.1-3.2
45-75
TO-247AC
5
RHRG5020-RHRG50120
50A
200-1200V
2.1-3.2
50-100
TO-247AC
6
RHRG6020-RHRG60120
60A
200-1200V
2.1-3.2
45-75
TO-247AD （4）BYV29～79、BYT28～79超快恢复二极管
1
BYW29-100～200
8A
100-200V
1.1
25
TO-220AC
2
BYV29-300～500
9A
300-500V
1.25
60
TO-220AC
3
BYQ28-100～200
10A
100-200V ,>
1.1
20
TO-220AB
4
BYT28-300～500
10A
300-500V
1.4
60
TO-220AB
5
BYV79-100～200
14A
100-200V
1.3
30
TO-220AC
6
BYT79-300～500
14A
300-500V
1.4
60
TO-220AC
7
BYV32-100～200
20A
100-200V
1.1
25
TO-220AB
8
BYV34-300～500
20A
300-500V
1.1
60
TO-220AB
9
BYV42-100～200
30A
100-200V
1.1
28
TO-220AB
10
BYV44-300～500
30A
300-500V
1.25
60
TO-220AB
5.肖特基整流二极管
序号
型号
IF
VRRM
VF
外形
A
V
V （1）肖特基塑封整流二极管
1
1N5817-1N5819
1A
20-40V
0.45-0.6
DO-41
2
1N5820-1N5822
3A
20-40V
0.45-0.6
DO-201AD
3
SRT12-SRT100
1A
20-100V
0.55-0.85
R-1
4
SR10-SR50
1-5A
20-100V
0.55-0.85 5
SB120-SB1B0
1A
20-100V
0.55-0.85
DO-41
6
SB220-SB2B0
2A
20-100V
0.55-0.85
DO-15
7
SB320-SB3B0
3A
20-100V
0.55-0.85
DO-201AD
8
SB520-SB5B0
5A
20-100V
0.55-0.85
D0-201AD
9
ERA81-002～009
1A
20-90V
0.55-0.9
DO-41
10
ERB81-002～009
2A
20-90V
0.55-0.9
DO-15
11
ERC81-002～009
3A
20-90V
0.55-0.9
DO201AD
12
EK03-EK09
1A
20-90V
0.55-0.81
DO-41
13
EK13-EK19
1.5A
20-90V
0.55-0.81
DO-15
14
EK33-EK39
2A
20-90V
0.55-0.81
DO-15
15
EK43-EK49
3A
20-90V
0.55-0.81
DO-201AD （2）MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管
1
MBR1020-MBR1060
10A
20-60V
0.57-0.8
TO-220AC
2
MBR1620-MBR1660
16A
20-60V
0.57-0.8
TO-220AC
3
MBR2020CT-2060CT
20A
20-60V
0.57-0.8
TO-220AB
4
MBR2520CT-2560CT
25A
20-60V
0.57-0.8
TO-220AB
5
MBR3020PT-3060PT
30A
20-60V
0.57-0.8
TO-247AD
6
MBR4020PT-4060PT
40A
20-60V
0.57-0.8
TO-247AD
7
MBR6020PT-6060PT
60A
20-60V
0.57-0.8
TO-247AD
8
PBYR735-745
7A
20-45V
0.56-0.66
TO-220AC
9
PBYR1020-1060
10A
20-60V
0.56-0.77
TO-220AC
10
PBYR1635-1660
16A
20-60V
0.56-0.77
TO-220AC
11
PBYR2020CT-2045CT
20A
20-45V
0.56-0.65
TO-220AB
12
PBYR3035PT-3060PT
30A
20-60V
0.56-0.77
TO-247AD
6.玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管
序号
型号
IF
VRRM
VF
Trr
外形
A
V
V
ns （1）BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管
1
BYV26A-BYV26E
1A
200-1000V
1.5
0.03
DO-204AP
2
BYV12-BYV16
1.5A
100-1000V
1.5
0.3
DO-204AP
3
BYV96A-BYV96E
1.5A
100-1000V
1.5
0.3
DO-204AP
4
BYV27-50～200
2A
50-200V
1.1
0.025
DO-204AP
5
BYV28-50～200
3.5A
50-200V
1.1
0.03
G3
6
BYT52A-BYT52M
1A
50-1000V
1.3
0.2
DO-204AP
7
BYT54A-BYT54M
1.25A
50-1000V
1.5
0.1
DO-204AP
8
BYT53A-BYT53M
1.5A
50-1000V
1.1
0.05
DO-204AP
9
BYT56A-BYT56M
3A
200-1000V
1.4
0.1
G3
10
BYM26A-BYM26M
2.3A
200-1000V
1.5
0.03
G3
11
BYM36A-BYM36M
3A
200-1000V
1.1
0.15
G3
12
BYW32-BYW38
2A
200-1000V
1.1
0.2
DO-204AP
13
BYW52-BYW56
2A
200-1000V
1.1
4
DO-204AP
14
BYW72-BYW76
3A
200-600V
1.1
0.2
G3
15
BYW96A-BYW96E
3A
200-1000V
1.5
0.2
G3
16
BY228
3A
1500V
1.5
20
G3 （2）GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管
17
GP10-GP30
1-3A
50-1000V
1.1
18
RGP01-10～RGP01-20
0.1A
1000-2000V
2
0.2-0.5
DO-41
19
RGP05-10～RGP05-20
0.5A
1000-2000V
2
0.2-0.5
DO-41
20
RGP10-RGP60
1-6A
50-2000V
1.3
0.15-0.5
7.PD、TR、PR系列高压塑封二极管
1
PD0112-PD0160
0.1A
1200-6000V
1.2-5
DO-41
2
PD0312-PD0360
0.3A
1200-6000V
1.2-5
DO-15
3
PD0512-PD0560
0.5A
1200-6000V
1.2-5
DO-15
4
PD112-PD130
1A
1200-3000V
1.2-4
DO-15
5
PD1512-PD1530
1.5A
1200-3000V
1.2-4
DO-15
6
PD212-PD220
2A
1200-2000V
1.2-2.5
DO-201AD
7
PD312-PD320
3A
1200-2000V
1.2-2.5
DO-201AD
8
PD612-PD620
6A
1200-2000V
1.2-2.5
R-6
9
TR0112-TR0160
0.1A
1200-6000V
1.5-8
0.5-0.8
DO-41
10
TR0312-TR0360
0.3A
1200-6000V
1.5-8
0.5-0.8
DO-15
11
TR0512-TR0560
0.5A
1200-6000V
1.5-8
0.5-0.8
DO-15
12
TR112-TR130
1A
1200-3000V
1.5-6
0.5-0.8
DO-15
13
TR1512-TR1530
1.5A
1200-3000V
1.5-6
0.5-0.8
DO-15
14
TR212-TR220
2A
1200-2000V
1.5-2.7
0.5-0.8
DO-201AD
15
TR312-TR320
3A
1200-2000V
1.5-2.7
0.5-0.7
DO-201AD
16
TR612-TR620
6A
1200-2000V
1.5-2.7
0.5-0.8
R-6
17
PR01-PR1
0.1-1A
1200-3000V
1.5-4
0.1-0.5
DO-15
18
RC2
0.3A
2000V
3
0.5
DO-41
19
RU4D-RP3F
1.5A-2A
1300-1500V
1.5
0.3
DO-201AD
8.稳压二极管
序号
名称
型号
PZM
VZ
W
V
1
稳
压
二
极
管
BZX55
0.5W
2.4V-47V
2
1N5985B～1N6031B
0.5W
2.4V-200V
3
1N4728～1N4764
1W
3.3V-100V
4
1N5911B～1N5956B
1.5W
2.7V-200V
5
2CW37-2.4～36
0.5W
2.4V-36V
6
2CW51-2CW68
0.25W
3V-28.5V
7
2CW101-2CW121
1W
3V-37.5V
8
2DW50-2DW64
1W
41V-190V
9
2DW80-2DW190
3W
41V-190V
10
2DW110-2DW151
10W
4.3V-470V
11
2DW170-2DW202
50W
4.3V-200V
12
温度补偿稳压二极管
2DW230-2DW236
0.2W
5.8V-6.6V
9.高速开关二极管
序号
型号
IC
VRM
Trr
外形
mA
V
ns
1
1N4148
150
100V
4
DO-35
2
1N4149-1N4154
150
35-100V
2-4
DO-35
3
1N4446-1N4454
150
40-100V
1-4
DO-35
4
1N914
75
100V
4
DO-35
5
BAV17-BAV21
250
25-250V
50
DO-35
6
BAW75-BAW76
300
35-75V
4
DO-35
7
2CK70-2CK79
10-280
20-60V
3-10
DO-35
8
2CK80-2CK85
10-300
20-60V
5-10
DO-35
9
1S1553-1S1555
100
70-35V
3
DO-35
10
1S2471-1S2473
130-110
90-40V
3
DO-35
肖特基二极管常见型号篇(3):肖特基二极管
折叠 编辑本段 ?原理
肖特基二极管肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。肖特基二极管结构原理图
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 折叠 编辑本段 优点
SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和 200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。 折叠 编辑本段 缺点
肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值最大可以到200V。 折叠 编辑本段 结构
肖特基二极管新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅(Si)或砷化镓(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。其结构示图如图1(a)，图形符号和等效电路分别如图1(b)和图1(c)所示。在图1(c)中，CP是管壳并联电容，LS是引线电感，RS是包括半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻，Cj和Rj分别为结电容和结电阻(均为偏流、偏压的函数)。 大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触(二者距离只有原子大小的数量级)时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边(势垒区全部落在半导体一侧)。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，最终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。
在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。 折叠 编辑本段 封装
肖特基二极管 肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式。肖特基对管又有共阴(两管的负极相连)、共阳(两管的正极相连)和串联(一只二极管的正极接另一只二极管的负极)三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式 折叠 编辑本段 特点
肖特基二极管SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 折叠 编辑本段 应用
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。 折叠 编辑本段 作用
肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 折叠 编辑本段 检测
肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简肖特基二极管结构符号特性曲线称SBD)，它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。折叠 性能比较
下表列出了肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。折叠 检测方法
下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括:①识别电极;②检查管子的单向导电性;③测正向导压降VF;④测量反向击穿电压VBR。
被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面(字面朝向人)从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R×1档进行测量，全部数据整理成下表:
肖特基二极管测试结论:
第一，根据①-②、③-④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。
第二，因①-②、③-②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。
第三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均低于手册中给定的最大允许值VFM(0.55V)。
另外使用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册，B82-004的最高反向工作电压(即反向峰值电压)VBR=40V。表明留有较高的安全系数. 折叠 编辑本段 其它
折叠 高压SBD
长期以来，在输出12V~24V的SMPS中，次级边的高频整流器只有选用100V肖特基二极管的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的SMPS中，只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺，形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构，如图2所示。采用这种结构的SBD，击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度，使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍，达到150V和200V。在正向偏置时，高压SBD的PN结的导通门限电压为0.6V，而肖特基势垒的结电压仅约0.3V，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。
为解决SBD在高温下易产生由金属-半导体的整流接触变为欧姆接触而失去导电性这一肖特基势垒的退化问题，APT公司通过退火处理，形成金属-金属硅化物-硅势垒，从而提高了肖特基势垒的高温性能与可靠性。肖特基二极管参数ST公司研制的150VSBD，是专门为在输出12V~24V的SMPS中替代200V的高频整流FRED而设计的。像额定电流为2×8A的STPS16150CT型SBD，起始电压比业界居先进水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值为0.47V)，导通电阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值为40mΩ)，导通损耗低0.18W(典型值为1.14W)。
APT公司推出的APT100S20B、APT100S20LCT和APT2×10IS20型200VSBD，正向平均电流IF(AV)=100A，正向压降VF≤0.95V，雪崩能量EAS=100mJ。EAS的表达式为
EAS=VRRM×IAS×td
在式(1)中，200VSBD的VRRM=200V，IAS为雪崩电流，并且IAS≈IF=100A，EAS=100mJ。在IAS下不会烧毁的维持时间:td=EAS/(VRRM×IAS)=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是说，SBD在出现雪崩之后IAS=100A时，可保证在5μs之内不会损坏器件。EAS是检验肖特基势垒可靠性的重要参量200V/100A的SBD在48V输出的通信SMPS中可替代等额定值的FRED，使整流部分的损耗降低10%~15%。由于SBD的超快软恢复特性及其雪崩能量，提高了系统工作频率和可靠性，EMI也得到显著的改善。
业界人士认为，即使不采用新型半导体材料，通过工艺和设计创新，SBD的耐压有望突破200V，但一般不会超过600V。折叠 SiC高压SBD
由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV)，临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm)，饱合速度快(2×107cm/s)，热导率高为4.9W/(cm·K)，抗化学腐蚀性强，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。
1999年，美国Purdue大学在美国海军资助的MURI项目中，研制成功4.9kV的SiC功率SBD，使SBD在耐压方面取得了根本性的突破。 SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势肖特基二极管垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。
据报道，C.M.Zetterling等人采用6H?SiC衬底外延10μm的N型层，再用离子注入形成一系列平行P+条，顶层势垒金属选用Ti，这种结构与图2相类似的结势垒肖特基(JunctionBarrierSchottky，缩写为JBS)器件，正向特性与Ti肖特基势垒相同，反向漏电流处于PN结和Ti肖特基势垒之间，通态电阻密度为20mΩ·cm2，阻断电压达1.1kV，在200V反向偏压下的漏电流密度为10μA/cm2。此外，R·Rayhunathon报道了关于P型4H?SiCSBD、6H?SiCSBD的研制成果。这种以Ti作为金属势垒的P型4H?SiCSBD和6H?SiCSBD，反向击穿电压分肖特基二极管别达600V和540V，在100V反向偏压下的漏电流密度小于0.1μA/cm2(25℃)。
SiC是制作功率半导体器件比较理想的材料，2000年5月4日，美国CREE公司和日本关西电力公司联合宣布研制成功12.3kV的SiC功率二极管，其正向压降VF在100A/cm2电流密度下为4.9V。这充分显示了SiC材料制作功率二极管的巨大威力。
在SBD方面，采用SiC材料和JBS结构的器件具有较大的发展潜力。在高压功率二极管领域，SBD肯定会占有一席之地。 肖特基二极管常见的型号: MBR300100CT
MBR400100CT
MBR500100CT
MBR600100CT
MBR30050CT
MBR40050CT
MBR50050CT
MBR60050CT
