【www.shanpow.com--对联大全】
电子元器件封装大全篇(一):电子元件封装大全及封装常识_
一、 什么叫封装 封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好。封装时主要考虑的因素: 1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率,尽量接近1:1; 2、 引脚要尽量短以减少延迟,引脚间的距离尽量远,以保证互不干扰,提高性能; 3、 基于散热的要求,封装越薄越好。 封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面,封装经历了最早期的晶体管TO(如TO-89、TO92)封装发展到了双列直插封装,随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装,以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等。从材料介质方面,包括金属、陶瓷、塑料、塑料,目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->PLCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装 二、 具体的封装形式 1、 SOP/SOIC封装 SOP是英文Small Outline Package 的缩写,即小外形封装。SOP封装技术由1968~1969年菲利浦公司开发成功,以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等。 2、 DIP封装 DIP是英文 Double In-line Package的缩写,即双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 < 1 > 3、 PLCC封装 PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写,即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小、可靠性高的优点。 4、 TQFP封装 TQFP是英文thin quad flat package的缩写,即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装(TQFP)工艺能有效利用空间,从而降低对印刷电路板空间大小的要求。由于缩小了高度和体积,这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用,如 PCMCIA 卡和网络器件。几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装。 5、 PQFP封装 PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写,即塑封四角扁平封装。PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上。 6、 TSOP封装 TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写,即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚, TSOP适合用SMT技术(表面安装技术)在PCB(印制电路板)上安装布线。TSOP封装外形尺寸时,寄生参数(电流大幅度变化时,引起输出电压扰动) 减小,适合高频应用,操作比较方便,可靠性也比较高。 7、 BGA封装 BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写,即球栅阵列封装。20****90年代随着技术的进步,芯片集成度不断提高,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大,对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要,BGA封装开始被应用于生产。 采用BGA技术封装的内存,可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍,BGA与TSOP相比,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升,采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下,体积只有TSOP封装的三分之一;另外,与传统TSOP封装方式相比,BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。 BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面,BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了,但引脚间距并没有减小反而增加了,从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小,信号传输延迟小,使用频率大大提高;组装可用共面焊接,可靠性高。 说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术,TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array(小型球栅阵列封装),属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的,其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2~3倍,与TSOP封装产品相比,其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。 采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的,而TinyBGA则是由芯片中心方向引 < 2 > 出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离,信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4,因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能,而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频,而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。 TinyBGA封装的内存其厚度也更薄(封装高度小于0.8mm),从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此,TinyBGA内存拥有更高的热传导效率,非常适用于长时间运行的系统,稳定性极佳。 三、 国际部分品牌产品的封装命名规则资料 1、 MAXIM 更多资料请参考 www.maxim-ic.com MAXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX×××或MAX×××× 说明: 1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴。 2、后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级。 3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。 举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃),说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类 1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关 4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准 7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器 DALLAS命名规则 例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND N=工业级 S=表贴宽体 MCG=DIP封 Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级 IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP 2、 ADI 更多资料查看www.analog.com AD产品以“AD”、“ADV”居多,也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。 后缀的说明: 1、后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴。 2、后缀中带D或Q的表示陶封,工业级(45℃-85℃)。后缀中H表示圆帽。 3、后缀中SD或883属军品。 例如:JN DIP封装 JR表贴 JD DIP陶封 3、 BB 更多资料查看www.ti.com BB产品命名规则: 前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表示工业级 前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度 4、 INTEL 更多资料查看www.intel.com INTEL产品命名规则: < 3 > N80C196系列都是单片机 前缀:N=PLCC封装 T=工业级 S=TQFP封装 P=DIP封装 KC20主频 KB主频 MC代表84引角 举例:TE28F640J3A-120 闪存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP 5、 ISSI 更多资料查看www.issi.com 以“IS”开头 比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM 封装: PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP 6、 LINEAR 更多资料查看www.linear-tech.com 以产品名称为前缀 LTC1051CS CS表示表贴 LTC1051CN8 **表示*IP封装8脚 7、 IDT 更多资料查看www.idt.com IDT的产品一般都是IDT开头的 后缀的说明: 1、后缀中TP属窄体DIP 2、后缀中P 属宽体DIP 3、后缀中J 属PLCC 比如:IDT7134SA55P 是DIP封装 IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP 8、 NS 更多资料查看www.national.com NS的产品部分以LM 、LF开头的 LM324N 3字头代表民品 带N圆帽 LM224N 2字头代表工业级 带J陶封 LM124J 1字头代表军品 带N塑封 9、 HYNIX 更多资料查看www.hynix.com 封装: DP代表DIP封装 DG代表SOP封装 DT代表TSOP封装。
封装图片与参数参考:
分立器件标准封装(1)
http://www.qic.com.cn/data/tech_show.asp?id=6801
集成电路标准封装(a-v字母开头)
http://www.qic.com.cn/data/tech_show.asp?id=6843
集成电路标准封装(s-z开关头)
http://www.qic.com.cn/data/tech_show.asp?id=6842
PDF详细资料下载:
http://www.eetchina.com/ART_8800478152_480201_TA_0cb2b649.HTM
电子元器件封装大全篇(二):电子元器件封装
齐威王
路漫漫其修远兮,吾将上下而求索
电子元器件封装(Package)---分立器件
贴片电阻常见封装有9种,用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码,前两位与后两位分别表示电阻的长与宽,以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码,也由4位数字表示,其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸:
英制(inch)
公制(mm)
长(L)(mm)
宽(W)(mm)
高(t)(mm)
a(mm)
b(mm)
0201
0603
0.60±0.05
0.30±0.05
0.23±0.05
0.10±0.05
0.15±0.05
0402
1005
1.00±0.10
0.50±0.10
0.30±0.10
0.20±0.10
0.25±0.10
0603
1608
1.60±0.15
0.80±0.15
0.40±0.10
0.30±0.20
0.30±0.20
0805
2012
2.00±0.20
1.25±0.15
0.50±0.10
0.40±0.20
0.40±0.20
1206
3216
3.20±0.20
1.60±0.15
0.55±0.10
0.50±0.20
0.50±0.20
1210
3225
3.20±0.20
2.50±0.20
0.55±0.10
0.50±0.20
0.50±0.20
1812
4832
4.50±0.20
3.20±0.20
0.55±0.10
0.50±0.20
0.50±0.20
2010
5025
5.00±0.20
2.50±0.20
0.55±0.10
0.60±0.20
0.60±0.20
2512
6432
6.40±0.20
3.20±0.20
0.55±0.10
0.60±0.20
0.60±0.20
贴片元件的封装
一、 零件规格:(a)、零件规格即零件的外形尺寸,SMT发展至今,业界为方便作业,已经形成了一个标准零件系列,各家零件供货商皆是按这一标准制造。标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法,如下表英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm)L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm)L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm)
注:a、L(Length):长度; W(Width):宽度; inch:英寸 b、1inch=25.4mm(b)、在(1)中未提及零件的厚度,在这一点上因零件不同而有所差异,在生产时应以实际量测为准。(c)、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻(排阻)和电容(排容),其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小,且形状也多种多样,在此不作讨论。(d)、SMT发展至今,随着电子产品集成度的不断提高,标准零件逐步向微型化发展,如今最小的标准零件已经到了0201。二、常用元件封装 1)电阻:最为常见的有0805、0603两类,不同的是,它可以以排阻的身份出现,四位、八位都有,具体封装样式可参照MD16仿真版,也可以到设计所内部PCB库查询。注:ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同0805具体尺寸:2.0 X 1.25 X 0.5(公制表示法)1206具体尺寸:3.0 X 1.5 0X 0.5(公制表示法)二、常用元件封装
1)电阻:最为常见的有0805、0603两类,不同的是,它可以以排阻的身份出现,四位、八位都有,具体封装样式可参照MD16仿真版,也可以到设计所内部PCB库查询。注:ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同0805具体尺寸:2.0 X 1.25 X 0.5(公制表示法)1206具体尺寸:3.0 X 1.5 0X 0.5(公制表示法)2)电阻的命名方法1、5%精度的命名: RS – 05 K 102 JT 2、1%精度的命名:RS – 05 K 1002 FT R -表示电阻S -表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。05 -表示尺寸(英寸):02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。K -表示温度系数为100PPM。102 -5%精度阻值表示法:前两位表示有效数字,第三位表示有多少个零,基本单位是Ω,102=1000Ω=1KΩ。1002 是1%阻值表示法:前三位表示有效数字,第四位表示有多少个零,基本单位是Ω,1002=10000Ω=10KΩ。J -表示精度为5%、F-表示精度为1%。T -表示编带包装3)电容:可分为无极性和有极性两类: 无极性电容下述两类封装最为常见,即0805、0603; 有极性电容也就是我们平时所称的电解电容,一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列,具体分类如下:类型 封装形式 耐压A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V贴片钽电容的封装是分为A型(3216),B型(3528),C型(6032),D型(7343),E型(7845)。有斜角的是表示正极4)、钽质电容(Tantalum)钽质电容已经越来越多应用于各种电子产品上,属于比较贵重的零件,发展至今,也有了一个标准尺寸系列,用英文字母Y、A、X、B、C、D来代表。其对应关系如下表型号 Y A X B C D规格L(mm) 3.2 3.8 3.5 4.7 6.0 7.3W (mm) 1.6 1.9 2.8 2.6 3.2 4.3T (mm) 1.6 1.6 1.9 2.1 2.5 2.8注意:电容值相同但规格型号不同的钽质电容不可代用。如:10UF/16V”B”型与10UF/16V”C”型不可相互代用。二极管:根据所承受电流的的限度,封装形式大致分为两类,小电流型(如1N4148)封装为1206,大电流型(如IN4007)暂没有具体封装形式,只能给出具体尺寸:5.5 X 3 X 0.5发光二极管:颜色有红、黄、绿、蓝之分,亮度分普亮、高亮、超亮三个等级,常用的封装形式有三类: 0805、1206、1210
元件 代号 封装 备注电阻 R AXIAL0.3电阻 R AXIAL0.4电阻 R AXIAL0.5电阻 R AXIAL0.6电阻 R AXIAL0.7电阻 R AXIAL0.8电阻 R AXIAL0.9电阻 R AXIAL1.0电容 C RAD0.1 方型电容电容 C RAD0.2 方型电容电容 C RAD0.3 方型电容电容 C RAD0.4 方型电容电容 C RB.2/.4 电解电容电容 C RB.3/.6 电解电容电容 C RB.4/.8 电解电容电容 C RB.5/1.0 电解电容保险丝 FUSE FUSE二极管 D DIODE0.4 IN4148二极管 D DIODE0.7 IN5408三极管 Q T0-126 三极管 Q TO-3 3DD15三极管 Q T0-66 3DD6三极管 Q TO-220 TIP42电位器 VR VR1电位器 VR VR2电位器 VR VR3电位器 VR VR4电位器 VR VR5元件 代号 封装 备注插座 CON2 SIP2 2脚插座 CON3 SIP3 3插座 CON4 SIP4 4插座 CON5 SIP5 5插座 CON6 SIP6 6DIP插座 CON16 SIP16 16插座 CON20 SIP20 20整流桥堆D D-37R 1A直角封装整流桥堆D D-38 3A四脚封装整流桥堆D D-44 3A直线封装整流桥堆D D-46 10A四脚封装集成电路U DIP8(S) 贴片式封装集成电路U DIP16(S) 贴片式封装集成电路U DIP8(S) 贴片式封装集成电路U DIP20(D) 贴片式封装 集成电路U DIP4 双列直插式集成电路U DIP6 双列直插式集成电路U DIP8 双列直插式集成电路U DIP16 双列直插式集成电路U DIP20 双列直插式集成电路U ZIP-15H TDA7294集成电路U ZIP-11HDual In-line Package双列直插封装QFPQuad Flat Package四边引出扁平封装PQFPPlastic Quad Flat Package塑料四边引出扁平封装SQFPShorten Quad Flat Package缩小型细引脚间距QFPBGABall Grid Array Package球栅阵列封装PGAPin Grid Array Package针栅阵列封装CPGACeramic Pin Grid Array陶瓷针栅阵列矩阵PLCCPlastic Leaded Chip Carrier塑料有引线芯片载体CLCCCeramic Leaded Chip Carrier塑料无引线芯片载体SOPSmall Outline Package小尺寸封装TSOPThin Small Outline Package薄小外形封装SOTSmall Outline Transistor小外形晶体管SOJSmall Outline J-lead PackageJ形引线小外形封装SOICSmall Outline Integrated Circuit Package小外形集成电路封装
1、 尺寸:毫米 0603 1005 1608 2012 3216 3225 4520 4532 5025 6432英寸 0201 0402 0603 0805 1206 1210 1808 1812 2010 25122、通用电压表示:5代表6.3V;6代表10V,7代表16V;8代表25V;9代表50V;0代表100V;A代表200V;B代表500V;C代表1KV;D代表2KV;E代表3KV;H代表4KV;Y代表250V日本产品、欧美电压表示:OG代表4V;OJ代表6.3V;1A代表10V;1C代表16V;1E代表25V;1V代表35V;1H代表50V3、精度表示代码:电阻-R:B±0.1%,C±0.25%,D±0.5%;电容-C:A±0.05PF,B±0.1PF,C±0.25PF,D±0.5PF;其他精度表示方法相同:F±1%,G±2%,J±5%,K±10%,L±15%,M±20%, N±25%, S-20%+50%, Z+80%-20%, P±100%,4、单位表示法:电阻单位:欧姆Ω,1M=103K=106Ω;或1Ω=10-3KΩ=10-6MΩ电容单位:法拉F, 1UF=103NF=106PF;或1F=103mF=106uF=109nF=1012Pf电感单位:亨利H,1UH=103NH;或1nH=10-3uH=10-6mH5、最小包装:7″REEL贴片电阻:R0402 10K/REEL,R0603 5K/REELR0805 5K/REELR1206 5K/REELR1210 5K/REELR8P4R-0402 10K/REELR8P4R-0603 5K/REEL各种精度陶瓷电容:C0402≤1UF 电压V≤50V 10K/REEL C0603≤2.2UF 电压V≤50V 4K/REEL C0805<1UF 电压V≤50V 4K/REEL C0805=1UF 电压V=25V 3K/REEL C0805=1UF 电压V=16V 4K/REEL C0805>1UF 电压V≤50V 3K/REEL C1206<1UF 电压V≤50V 4K/REEL C1206≥1UF 电压V≤50V 3K/REEL贴片钽电容:2012(P型) 3K/ REEL 3216(A型) 2K/REEL 3528(B型) 2K/REEL 6032(C型) 500/REEL 7343(D型) 500/REEL 7343H(E型) 500/REEL贴片电感和磁珠:磁珠 0603/0805 0R~600R M 4K/REEL磁珠 1206 0R~600R M 3K/REEL电感 0603 ≤22UH M 4K/REEL电感 0805 ≥10UH M 4K/REEL电感 0805 >10UH M 3K/REEL电感 1206 ≤10UH M 3K/REEL贴片二、三极管:圆柱型 2K5/REEL其他 3K/REELCHIP-ALU-铝电解电容:4*5.4 2K/REEL5*5.4 1K/REEL6.3*5.4 1K/REEL8*6.5 500/REEL10*10 500/REEL6、阻容器含铅代码:一般情况,电阻带“LFP”、“Lead Free”字样,表示不含铅,不带“LFP”字样,表示含铅;华新电容带“C***”或“L***”字样为不含铅,带为“N***”或“B***”字样为含铅,其他电容带“Pb”标志的表示含铅,带“Pb”标志的表示不含铅。7、华新科电容材质表示法:一般地,NPO:≤100PF,X7R:>100PF≤10NF,Y5V:>10NF8,电容材质简称:N:(NPO) B:(X7R) X:(X5R) F:(Y5V)
电子元器件封装大全篇(三):电子元器件封装大全(图片对应)



