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肖特基二极管型号篇(1):肖特基二极管参数说明
肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
肖特基二极管参数说明
(1) VF正向压降 Forward Voltage Drop
(2) VFM最大正向压降 Maximum Forward Voltage Drop
(3) VBR反向击穿电压 Breakdown Voltage
(4) VRMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage
(5) VRRM峰值反复反向电压 Peak Repetitive Reverse Voltage
(6) VRSM Non–Repetitive Peak Reverse Voltage (halfwave, single phase, 60 Hz)非反复反向峰值电压（半波，单相，60Hz）
(7) VRWM 反向峰值工作电压 Working Peak Reverse
Voltage
(8) VDC最大直流截止电压 Maximum DC Blocking
Voltage
(9) Trr反向恢复时间 Reverse Recovery Time
(10) IF(AV)正向电流 Forward Current
(11) IFSM最大正向浪涌电流 Maximum Forward Surge
Current
(12) IR反向电流 Reverse Current
(13) TA环境温度或自由空气温度 Ambient Temperature
(14) TJ工作结温 Operating Junction Temperature
(15) TSTG储存温度 Storage Temperature Range
(16) TC管子壳温 Case Temperature
快恢复二极管和肖特基二极管区别？
快恢复二极管的恢复时间是 250－500ns高效率二极管的恢复时间是 75－250ns肖特基二极管的恢复时间是 10ns左右而且他们的正向导通电压也有所不同，肖特基
肖特基缺点？
肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值最大可以到200V。也就是说肖特基最高做到200V
肖特基二极管型号篇(2):肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成 SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD）的简称。肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称 SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD 来命名产品型号前缀的。但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半导体接触形成 PN 结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD 也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。关于肖特基 MBR 系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早 MOTOROLA 的命名，取 MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写 MB：Barrier1 缩写 BR：Rectifier 缩写 R10：电流 10A200：电压 200VC：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。T：表示管装MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：MBRD10100CT：第四位的 D，表示贴片 DPAK 封装MBRB10100CT：第四位的 B，表示贴片 D2PAK 封装MBRF10100CT：第四位的 F，表示 TO-220 全塑封TO-252，也就是贴片 DPAK 封装；TO-263，也就是贴片 D2PAK 封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT，型号中就 20100 是阿拉伯数字，20100 中，20 是电流，100 是电压。以此类推。MBR、SR、SL、SB、STB、STP 都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。备注：美国摩托罗拉半导体公司，是世界上最早的半导体生产商。早期的半导体元件很多都是以该公司的产品命名而得到全球公认、通用。摩托罗拉公司后来将半导体器件分离出来，分为：成品电器（比如手机、通信终端设备、小家电等）；电子元件部分是今天的 ON（安森美半导体），生产功率器件；Freescale（飞思卡尔半导体）生产 IC 集成电路；1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。2、肖特基二极管的结构 肖特基二极管在结构原理上与 PN 结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N 外延层（砷材料）、N 型硅基片、N 阴极层及阴极金属等构成。在 N 型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N 型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有：共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有 A～19 种管脚引出方式。3、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型号。也就是常说的插件封装。常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为“SS”？SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：Surface Mounted Devices 的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为 SS，如：SS12、SS14、SS16、SS18....也就是常说贴片封装。电流最小的肖特基是 BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是 440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过 440A 的必定是模块。肖特基的最高电压是 200V，也就是说，肖特基的极限电压是 200V。超过 200V 电压的也必定是模块。电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。10A、20A、30A 规格的有做到 200V 电压。除此外，都没有 200V 电压规格。关于封装通过型号识别封装外形：MBR10100：TO-220AC，单芯片，两引脚，MBR10100CT：TO-220AB，双芯片，三引脚，型号后缀带 CTMBRB10100CT：TO-263（D2PAK）、贴片。型号前面第四个字母 B，代表 TO-263，国际通用命名。双芯片，三引脚，型号后缀带 CTMBRD1045CT：TO-252（DPAK）、贴片。MBRD 与 MBRB 都是贴片，D：TO-252，B：TO-263。MBR3045PT：TO-3P，型号后缀“PT”代表 TO-3P 封装，原 MOTOROLA（今 ON）叫做 SOT-93SD1045：D 表示 TO-251常见贴片封装的肖特基型号：BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S：SOT-23，0.3AMBR0520L、MBR0540：SOD-123，0.5ASS12、SS14：DO-214AC（SMA），1ASL12、SL14：DO-214AC（SMA），1ASK22：SK24：DO-214AA（SMB），2ASK32：SK34：DO-214AB（SMC），3AMBRD320、MBRD360：TO-252，3AMBRD620CT、MBRD660CT：TO-252，6AMBRB10100CT：TO-263（D2PAK），10AMBRB4045CT：TO-263（D2PAK），40A常见插件封装的肖特基型号：MBR150、MBR160：DO-41，轴向，1A1N5817（1A/20V）、1N5819（1A/40V），轴向，DO-41；1N5820（3A/20V）、1N5822（3A/40V），轴向，DO-201ADMBR340、MBR3100：（3A/40V），DO-201AD 轴向，MBR735、MBR745：TO-220AC（两脚），7AMBRB735、MBRB745：贴片、TO-263（D2PAK），7AMBR1045、MBR1060：TO-220AC（两脚），10AMBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10AMBRF1045CT、MBRF10100CT：TO-220F，（三脚全塑封），10A（第 4 位字母 F 为全塑封）MBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15AMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20AMBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25AMBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30AMBR3045PT、MBR3060PT：TO-247（TO-3P），30AMBR4045PT、MBR4060PT：TO-247（TO-3P），40AMBR6045PT、MBR6060PT：TO-247（TO-3P），60A器件型号 主要参数 常规封装形式MBR1045CT， 10A， 45V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR1060CT， 10A， 60V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR10100CT，10A，100V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR10150CT，10A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR10200CT，10A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR2045CT， 20A， 45V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR2060CT， 20A， 60V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR20100CT，20A，100V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR20150CT，20A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR20200CT，20A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR3045CT， 30A， 45V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR3060CT， 30A， 60V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR30100CT，30A，100V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；MBR30150PT，30A，150V，TO-247、TO-3P；MBR30200PT，30A，200V，TO-247、TO-3P；MBR4045PT， 40A， 45V，TO-247、TO-3P；MBR4060PT， 40A， 60V，TO-247、TO-3P；MBR40100PT，40A，100V，TO-247、TO-3P；MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；MBR60100PT，60A，100V，TO-247、TO-3P；
肖特基二极管型号篇(3):很全的肖特基二极管知识，学习了！
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称。肖特基二极管原理及结构和其他的二极管比起来，肖特基二极管有什么特别的呢？SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题(Qrr→0)，使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。肖特基二极管的封装肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。肖特基二极管的优势SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。肖特基二极管的缺点肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极管，其反向偏压额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。当然，随着工艺技术和肖特基二极管技术的进步，其反向偏压的额定值也再提高。肖特基二极管的重要参数肖特基二极管应用广泛，特别是在开关电源当中。在不同的应用中，需要考虑不同的因素，而且，不同的器件在性能上也有差别，因此，在选用肖特基二极管时，下面这些参数需要综合考虑。1、导通压降VFVF为二极管正向导通时二极管两端的压降，当通过二极管的电流越大，VF越大;当二极管温度越高时，VF越小。2、反向饱和漏电流IRIR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。3、额定电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。4. 最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。5.最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前肖特基最高的VRM值为150V。6. 最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7.最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。肖特基二极管的fM值较高，最大可达100GHz。8.反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。9. 最大耗散功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。在实际中外部散热状况对P也是影响很大。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流加上反向恢复损耗。肖特基二极管在开关电源中的应用开关电源有高频变压器、高频电容、高反压大功率晶体管、功率整流二极管、控制IC等主要部件组成。次级整流二极管作为耗能部件，损耗大，（约占电源功耗的30%），发热高，它的选用对电源的整机效率和可靠性指标是非常关键的因素，这就要求整流二极管在高速大电流工作状态下应具有正向压降VF小、反向反向漏电IR小、恢复时间Trr短的特性。对于低压大电流的高频整流，肖特基二极管是最佳的选择（这时由于其反向耐压较低），最常用的是作为±5V、±12V、±15V的整流输出管。（如计算机电源的+5V输出大多采用SR3040，+12V输出采用SR1660）再加上肖特基二极管的正向压降VF与结温TJ呈现负温度系数，所以用其制造的开关电源效率高，温升低，噪声小，可靠性高。下面是在具体应用中应注意的问题：1．肖特基二极管的选型要根据开关电源所要输出的电压VO、电流IO、散热情况、负载情况、安装要求、所要求的温升等确定所要选用的肖特基二极管种类。在一般的设计中，我们要留出一定的余量。比如，VR只用到其额定值的80%以下（特殊情况下可控制到50%以下），IF用到其额定值的40%以下。在单端反激（FLY-BACK）开关电源中，假定一产品：输入电压VIMAX=350VDC，输出电压VO=5V，电流IO=1A。如图所示。 根据计算公式，要求整流二极管的反向电压 VR、正向电流IF满足下面的条件： VR≥2VI×NS/NPIF≥2IO/（1-θMAX）其中：NS/NP为变压器次、初级匝比θMAX为最大占空比假设，NS/NP=1/20，θMAX=0.35则VR≥2×350/20=35（V）IF≥2×1/（1-0.35）=3（A）这样，我们可以参考选用SR340或1N5822。若产品为风扇冷却，则管子可以把余量留小一些。TO220、TO3P封装的管子有全包封、半包封之分这要根据具体情况选用。半包封管子的散热优于全包封的管子，但需注意其散热器和中间管脚相通。负载若为容性负载，建议IF再留出20%的余量。注意功率肖特基二极管的散热和安装形式，要搞清楚产品为自然冷却还是风扇冷却，管子要安装在易通风散热的地方，以提高产品的可靠性。TO-220、TO-3P型的管子与散热器之间要加导热硅脂，使管子与散热器之间接触良好。DO-41、DO-201AD封装的管子可采取立式、卧式、架空等方式安装，这要根据实际情况确定。2.正确选择肖特基二极管的RC补偿网络-RC缓冲器由于高频变压器的漏电感和管子的结电容在截止时形成一个谐振电路，它可导致瞬时过压振荡。因此，有必要在电源输出中设置RC缓冲器以保护管子的安全。另外，RC网络还可减少输出噪声，减少管子的热耗，提高产品的效率和可靠性。如上图所示。缓冲器的选择原则是，既使缓冲器有效，又能尽量减少损耗。下面是参考公式。R=√(Li/Cj)/n式中：Li为变压器漏电感（μH）CJ为管子的结电容（PF）N为原副边匝比（NP/NS）电容C可任意地从0.01到0.1μF之间取,具体值有实验确定。如对VO=5V，可选R=5.1Ω，0.5W,C=0.01μF尽量选择IR小的肖特基二极管IR小的管子,热耗小,所以同样情况下,要选择IR小的管子。设计PCB时，要使管子及散热器尽量远离电解电容器等对热敏感的器件。以增加产品的寿命。焊接管子的焊盘要足够大，焊接牢靠，避免由于热应力造成脱焊。肖特基二极管一旦选用后，要经模拟实验，在产品输入、输出最坏的情况下测量其温升及工作波形，确认各项指标不要超过其极限参数。
