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【一】:内存条常识
内存条常识
我们平常所说的“内存”大都是指“内存条”。那么什么是“内存条”呢？常见的“内存条”又有哪些类型呢？
1．内存条的诞生
当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。
内存虽然容量不大，一般只有几十MB到几百MB，但中转速度非常快，如此一来，当CPU需要数据时，事先可以将部分数据存放在内存中，以解CPU的燃眉之急。由于内存只是一个“中转仓库”，因此它并不能用来长时间存储数据。
2．常见的内存条
目前PC中所用的内存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三种类型。
曾经主流—SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）即“同步动态随机存储器”。SDRAM内存条的两面都有金手指，是直接插在内存条插槽中的，因此这种结构也叫“双列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前绝大部分内存条都采用这种“DIMM”结构。
随着处理器前端总线的不断提高，SDRAM已经无法满足新型处理器的需要了，早已退出了主流市场。
今日主流—DDR SDRAM
DDR SDRAM（简称DDR）是采用了DDR（Double Data Rate SDRAM，双倍数据速度）技术的SDRAM，与普通SDRAM相比，在同一时钟周期内，DDR SDRAM能传输两次数据，而SDRAM只能传输一次数据。
从外形上看DDR内存条与SDRAM相比差别并不大，它们具有同样的长度与同样的引脚距离。只不过DDR内存条有184个引脚，金手指中也只有一个缺口，而SDRAM内存条是168个引脚，并且有两个缺口。
根据DDR内存条的工作频率，它又分为DDR200、DDR266、DDR333、
DDR400等多种类型：与SDRAM一样，DDR也是与系统总线频率同步的，不过因为双倍数据传输，因此工作在133MHz频率下的DDR相当于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266来表示。www.shanpow.com_内存频率越高CL值越大。
小提示：工作频率表示内存所能稳定运行的最大频率，例如PC133标准的SDRAM的工作频率为133MHz，而DDR266 DDR的工作频率为266MHz。对于内存而言，频率越高，其带宽越大。
除了用工作频率来标示DDR内存条之外，有时也用带宽值来标示，例如DDR 266的内存带宽为2100MB/ｓ，所以又用PC2100来标示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：内存带宽也叫“数据传输率”，是指单位时间内通过内存的数据量，通常以GB/ｓ表示。我们用一个简短的公式来说明内存带宽的计算方法：内存带宽＝工作频率×位宽/8×ｎ（时钟脉冲上下沿传输系数，DDR的系数为2）。
由于DDR内存条价格低廉，性能出色，因此成为今日主流的内存产品。
过时的贵族—RDRAM
RDRAM（存储器总线式动态随机存储器）是Rambus公司开发的一种新型DRAM。RDRAM虽然位宽比SDRAM及DDR的64bit窄，但其时钟频率要高得多。
从外观上来看，RDRAM内存条与SDRAM、DDR SDRAM内存条有点相似。
从技术上来看，RDRAM是一种比较先进的内存，但由于价格高，在市场上普及不是很实际。如今的RDRAM已经退出了普通台式机市场。
3．内存的封装
目前内存的封装方式主要有TSOP、BGA、CSP等三种，封装方式也影响着内存条的性能优劣。
TSOP封装：TOSP
（www.shanpow.com_内存频率越高CL值越大。
Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）的一个典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚。TSOP封装操作方便，可靠性比较高，是目前的主流封装方式。
BGA封装：BGA叫做“球栅阵列封装”，其最大的特点就是芯片的引脚数目增多了，组装成品率提高了。采用BGA封装可以使内存在体积不变的情况下将内存容量提高两到三倍，与TSOP相比，它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
CSP封装：CSP（Chip Scale Package，芯片级封装）作为新一代封装方式，其性能又有了很大的提高。ＣＳＰ封装不但体积小，同时也更薄，更能提高内存芯片长时间运行的可靠性，芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR内存。
二、内存强档 要进一步了解内存，以下的内容一定不能错过。其中内存的时钟周期、存取时间和CAS延
迟时间是衡量内存性能比较直接的重要参数，它们都可以在主板BIOS中设置，这个问题将在以后介绍BIOS的时候详细阐述。
1．时钟周期（TCK）
TCK是“Clock Cycle Time”的缩写，即内存时钟周期。它代表了内存可以运行的最大工作频率，数字越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工作频率是成倒数的，即TCK＝1/F。比如一块标有“－10”字样的内存芯片，“－10”表示它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的频率下正常工作。
2．存取时间（TAC）
TAC（Access Time From CLK）表示“存取时间”。与时钟周期不同，TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。如一块标有“－7J”字样的内存芯片说明该内存条的存取时间是7ns。存取时间越短，则该内存条的性能越好，比如说两根内存条都工作在133MHz下，其中一根的存取时间为6ns，另外一根是7ns，则前者的速度要好于后者。
3．CAS延迟时间（CL）
CL（CAS Latency）是内存性能的一个重要指标，它是内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读取数据时，在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”，而 “缓冲期”的时间长度，就是这个CL了。内存的CL值越低越好，因此，缩短CAS的周期有助于加快内存在同一频率下的工作速度。
4．奇偶校验（ECC）
内存是一种数据中转“仓库”，而在频繁的中转过程中，一旦搞错了数据怎么办？而ECC就是一种数据检验机制。ECC不仅能够判断数据的正确性，还能纠正大多数错误。普通PC中一般不用这种内存，它们一般应用在高端的服务器电脑中。
目前市场上主流的内存有SDRAM和DDR SDRAM，内存条品牌主要有金士顿、三星、宇瞻、富豪、现代等等。
【二】:教你认识内存条
教你认识内存条
2006年12月08日 星期五 08:55
我们平常所说的“内存”大都是指“内存条”。那么什么是“内存条”呢？常见的“内存条”又有哪些类型呢？
1．内存条的诞生
当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。
内存虽然容量不大，一般只有几十MB到几百MB，但中转速度非常快，如此一来，当CPU需要数据时，事先可以将部分数据存放在内存中，以解CPU的燃眉之急。由于内存只是一个“中转仓库”，因此它并不能用来长时间存储数据。
2．常见的内存条
目前PC中所用的内存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、DDR2等四种类型。 曾经主流——
SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）即“同步动态随机存储器”。SDRAM内存条的两面都有金手指，是直接插在内存条插槽中的，因此这种结构也叫“双列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前绝大部分内存条都采用这种“DIMM”结构。
随着处理器前端总线的不断提高，SDRAM已经无法满足新型处理器的需要了，早已退出了主流市场。
今日主流——DDR SDRAM
DDR SDRAM（简称DDR）是采用了DDR（Double Data Rate SDRAM，双倍数据速度）技术的SDRAM，与普通SDRAM相比，在同一时钟周期内，DDR SDRAM能传输两次数据，而SDRAM只能传输一次数据。
从外形上看DDR内存条与SDRAM相比差别并不大，它们具有同样的长度与同样的引脚距离。只不过DDR内存条有184个引脚，金手指中也只有一个缺口，而SDRAM内存条是168个引脚，并且有两个缺口。
根据DDR内存条的工作频率，它又分为DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多种类型：与SDRAM一样，DDR也是与系统总线频率同步的，不过因为双倍数据传输，因此工作在133MHz频率下的DDR相当于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266来表示。
小提示：工作频率表示内存所能稳定运行的最大频率，例如PC133标准的SDRAM的工作频率为133MHz，而DDR266 DDR的工作频率为266MHz。对于内存而言，频率越高，其带宽越大。
除了用工作频率来标示DDR内存条之外，有时也用带宽值来标示，例如DDR 266的内存带宽为2100MB/ｓ，所以又用PC2100来标示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：内存带宽也叫“数据传输率”，是指单位时间内通过内存的数据量，通常以GB/ｓ表示。我们用一个简短的公式来说明内存带宽的计算方法：内存带宽＝工作频率×位宽/8×ｎ（时钟脉冲上下沿传输系数，DDR的系数为2）。 由于DDR内存条价格低廉，性能出色，因此成为今日主流的内存产品。 过时的贵族——RDRAM
RDRAM（存储器总线式动态随机存储器）是Rambus公司开发的一种新型DRAM。RDRAM虽然位宽比SDRAM及DDR的64bit窄，但其时钟频率要高得多。 从外观上来看，RDRAM内存条与SDRAM、DDR SDRAM内存条有点相似。
从技术上来看，RDRAM是一种比较先进的内存，但由于价格高，在市场上普及不是很实际。如今的RDRAM已经退出了普通台式机市场。
最新的内存——DDR2
DDR2是英特尔极力推动的新一代内存，DDR2构建在DDR的基础上，通过增加4位预取机制使得在核心频率不变的条件下将数据带宽提升4倍，为效能提升扫清了障碍。为提高兼容性，DDR2将终结器直接整合于内存颗粒中，这也有效降低了主板的制造成本。此外，DDR2在延迟方面的机制也有所改变，增加了AL附加延迟的概念，这不可避免导致DDR2延迟时间增加。
高频率、高带宽是DDR2最大的优点，它将有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800等规范，最高带宽分别达到3.2GB/s、4.2GB/s、5.3GB/s和6.4GB/s，比目前的DDR内存有大幅度提升，但它们的核心频率仍保持在很低的水平，使得产品可在更低的电压下运作（DDR工作在2.5V下，DDR2仅需要1.8V工作电压）、功耗也比DDR有了明显的降低。不过，DDR2的延迟周期反而比DDR长，后者的CL延迟一般是2、2.5和3个周期，而DDR2一般为3、4和5个周期，再加上AL附加延迟（附加延迟为0～4个周期），使得DDR2读数据的延迟时间比DDR大幅增加——显然，在带宽相同的情况下，DDR2的实际性能反而不如DDR。
表：各个版本的DDR-DDR2效能对比
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目前内存的封装方式主要有TSOP、BGA、CSP等三种，封装方式也影响着内存条的性能优劣。
TSOP封装：TOSP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）的一个典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚。TSOP封装操作方便，可靠性比较高，是目前的主流封装方式。
BGA封装：BGA叫做“球栅阵列封装”，其最大的特点就是芯片的引脚数目增多了，组装成品率提高了。采用BGA封装可以使内存在体积不变的情况下将内存容量提高两到三倍，与TSOP相比，它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
CSP封装：CSP（Chip Scale Package，芯片级封装）作为新一代封装方式，其性能又有了很大的提高。ＣＳＰ封装不但体积小，同时也更薄，更能提高内存芯片长时间运行的可靠性，芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR内存。
二、内存强档
要进一步了解内存，以下的内容一定不能错过。其中内存的时钟周期、存取时间和CAS延迟时间是衡量内存性能比较直接的重要参数，它们都可以在主板BIOS中设置，这个问题将在以后介绍BIOS的时候详细阐述。
1．时钟周期（TCK）
TCK是“Clock Cycle Time”的缩写，即内存时钟周期。它代表了内存可以运行的最大工作频率，数字越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工作频率是成倒数的，即TCK＝1/F。比如一块标有“－10”字样的内存芯片，“－10”表示它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的频率下正常工作。
2．存取时间（TAC）
TAC（Access Time From CLK）表示“存取时间”。与时钟周期不同，TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。如一块标有“－7J”字样的内存芯片说明该内存条的存取时间是7ns。存取时间越短，则该内存条的性能越好，比如说两根内存条都工作在133MHz下，其中一根的存取时间为6ns，另外一根是7ns，则前者的速度要好于后者。
3．CAS延迟时间（CL）
【三】:内存频率和CL延迟哪个重要
大家都知道，内存是电脑必不可少的一个硬件，所以说，关于内存会有各种各样的问题，小编就在这里给大家介绍内存频率和CL延迟哪个重要。
这个主要看游戏的内存读写方式决定的，如果游戏的数据多依赖处理器的高速缓存就能解决问题了，那么CL延迟的影响会被降到很低，再或者是列的数据会比较常被存取，那么CL延迟的影响也会比较低。
要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。
因此从处理器开始从内存索取数据开始到完成读取的总时间应该是延迟的时间+数据读写的时间的综合，而延迟的时间又会被细分，详见下面的解释。
文中虽然尽量避免了使用术语名词频率，但是无法避免不使用属于名词，对于内存时序的术语名词的解释请点击：什么是内存时序
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
CL设置较低的内存具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间(tAC)。
首先来了解一下存取时间(tAC)的概念，tAC是Access Time from CLK的缩写，是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。存取时间(tAC)代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。
如某内存其存取时间为6ns，而其内存时钟周期为6ns，如BIOS可调节CL设置，并设定为2.5，则总的延迟时间=6ns X2.5+6ns=21ns，而如果CL设置为2，那么总的延迟时间=6ns X2+6ns=18 ns，就减少了3ns的时间。
从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，处理器的三级缓存很大，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。再者，列的数据会比较常被存取，所以RAS-to-CAS的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS延迟时间只会发生一次。
选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费。
【四】:内存的CL值是什么
不少人在看内存参数时，会发现CL值，那么这个词是什么意思呢?小编带大家了解CL值是什么。
CL(CAS Latency)：为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。
举个例子来计算一下总延迟时间，比如一条DDR333内存其存取时间为6ns，而其内存时钟周期为6ns(DDR内存时钟周期=1X2/内存频率，DDR400内存频率为400，则可计算出其时钟周期为6ns)。我们在主板的BIOS中将其CL设置为2.5，则总的延迟时间=6ns X2.5+6ns=21ns，而如果CL设置为2，那么总的延迟时间=6ns X2+6ns=18 ns，就减少了3ns的时间。
从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。所以对系统要求高和喜欢超频的用户通常喜欢购买CL值较低的内存。目前各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高DDR的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低CAS延迟时间来提高内存性能。
不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。再者，列的数据会比较常被存取，所以RAS-to-CAS的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS延迟时间只会发生一次。
选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费。www.shanpow.com_内存频率越高CL值越大。
内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
【五】:怎样区分电脑显示器的真假
你们知道怎么检测电脑显示器的真假吗，下面是小编带来的关于怎样区分电脑显示器的真假的内容，欢迎阅读!
区分显示器真假方法一、眼看法：从硬件本身识别
1.从包装防伪标识别
购买硬件产品时，首先第一就是看产品包装，以金士顿(Kingston)内存为例，2005年1月10日起，在国内经销的金士顿产品，一律采用全新的"纳米折光"防伪标，据说这种类似激光技术的防伪标绝无造假的可能，这种防伪贴将取代使用两年之久的电话短信仿伪标贴，以后正品的金士顿内存在醒目的位置都能看到，并且无需通过第三方手段比如电话、短信等去验证真伪。 对于其它产品如主板、显卡、光驱等，由于都采用了外包装，包装盒上一般都有800等免费咨询电话，可通过这个电话咨询厂家产品是否为正品。比如SONY在中国境内销售的光磁存储系列产品(CDRW、DVDRW等)，行货都贴有中国质量检验协会的的蓝色防伪标签。标签由两层贴纸构成，揭开标签表层在第二层贴纸上能看见防伪码，但水货和假货上的标签没有防伪码可查，购买后应立即揭开表层，拨打防伪标签上的免费电话8008106046，查询购买产品的真伪。此外，SONY的行货都贴有"Sony原装 力富代理"的防伪标签。这是鉴别行货、水货和假货的重要方法(特别提醒：假货水货也同样贴上了防伪商标)。
